Annons

Korta laserpulser ger lågresistiv source/drain-kontakt

På årets Electron Devices Meeting (IEDM) rapporterar forskningsorganisationen Imec ultralåg kontaktrestans mot source/drain. Höggradigt Ga-dopade Ge-rika source/ drainkontakter har visat sig vara en lovande väg att gå för att undertrycka parasitiskresistanser i source/drain hos avancerad pMOS.