GaN allt tillförlitligare visar rapport

MACOM bevisar i en rapport hur mycket tillförlitligare deras komponenter i galliumnitrid (GaN) på kiselsubstrat (Si) har blivit sedan deras första generation introducerades 2006. Dagens generation GaN har till och med visat sig vara tillförlitligare än tionde generationens LDMOS, något som har stor betydelse då de används i mobilsystemens basstationer.

ST och MACOM i samarbete om GaN

Ett avtal mellan bolagen innebär att MACOM nu utökar sina leverantörer: ST kommer att tillverka effekthalvledare för RF i GaN på kiselskivor åt MACOM. Samtidigt kan ST licensiera MACOMs teknik och tillverka sina egna GaN–komponenter på kisel. Det gäller för de RF-marknader som inte omfattas av mobiltelefoner, basstationer och tillhörande tillämpningar inom infrastruktur för telekom.