Annons

Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Genombrott för GaN på SiC

Ett team från SweGaN, IEMN och Linköpings universitet har gjort ett genombrott när det gäller att producera epiwafers med GaN på SiC för effektkomponenter.

Brett bandgap tar marknadsandelar

Kiselkarbid, SiC, tar på sikt över allt mer av marknaden för effekthalvledare i kisel. Marknaden för galliumnitrid börjar växa från en låg nivå. På konferensen SCAPE 2019 gav Yole Devéloppement marknadsprognoser. SiC, GaN och Si överlappar varandra i vissa områden: I tillämpningar med måttliga effekter och switchfrekvenser kring 10 kHz konkurrerar teknikerna.

Asien och USA dominerar brett bandgap

Konferensen IWBGPEAW 2017 arrangeras årligen i ett samarbete mellan RISE Acreo, SiC Power Center (ett initiativ av RISE Acreo, KTH och Swerea Kimab), Yole Développement, Energimyndigheten, Enterprise Europe Network och Green power electronics. USA, Japan och Kina fortsätter att stärka sina marknadspositioner inom halvledare för brett bandgap (WBG, Wide Band Gap). I en första rapport […]

Brett bandgap på bred front

Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.