Annons

Våga satsa på SiC och GaN

Effekthalvledare i halvledarmaterial med brett bandgap, i kiselkarbid (SiC) eller galliumnitrid (GaN), ger stora fördelar jämfört med kisel (Si). Men vågar du lämna den etablerade kiseltekniken? Josef Lutz, professor vid Techniche Universität Chemnitz, berättar om tillförlitligheten hos SiC- och GaN-komponenter och -moduler i ett seminarium den 1 april på KTH.

Talaren har djup erfarenhet av halvledare med brett bandgap. Han har tidigare arbetat på Semicron och forskat inom kraftelektronik i över 30 år. Huvudämnet för hans forskning har varit robusthet och tillförlitlighet hos kraftkomponenter.

Mer om Josef Lutz finner du på https://de.wikipedia.org/wiki/Josef_Lutz_(Elektrotechniker) .

Seminariet ”Rudgedness and Reliability of SiC Devices and Modules” är öppet för alla. Det äger rum den 1 april mellan kl 10 och 12:30 på KTH, Brinellgatan 23, sal B3.

Arrangör är WBG Power Center.

Under seminariet presenterar Peter Bennich från Energimyndigheten IEA initiativet PEKTA med mål att snabba upp effektivisering av energiomvandling. WBG Power Center informerar också om Energimyndighetens BBG-program. Programmet har det fullständiga namnet ”Bredbandgapselektronik i energieffektivare kraftelektroniktillämpningar”.

Anmälan via e-mail görs via email till mietek.bakowski@ri.se

Comments are closed.