Epiluvac, i Lund, har fått en order på ett system för Chemical Vapor Deposition, kemisk deponering i ångfas, i dubbel konfigurering. Kunden, ITME, finns i Warszawa. Systemet skall användas för forskning på nya material.

Det helt nya systemet är konstruerat runt två ER3-reaktorer för 8 tums wafers, för epitaxi av kiselkarbid, SiC, eller galliumnitrid, GaN.

– Reaktorn, 8” Hot-load, utvecklades ursprungligen tillsammans med Linköpings universitet, säger Roger Nilsson, CTO hos Epiluvac.

– Under de senaste åren har vi utvecklat en helt ny plattform för ”WBG-multi-reaktor-CVD-system”. Dessa system gör att användaren kan optimera kemin i var och en av reaktorerna, justera temperaturprofiler över wafern, använda upp till 8 tums wafer och optimera koncentrationen av gasflöde över wafern.

Epiluvac erbjuder nyckelfärdiga lösningar, inklusive support för att starta upp den första tillväxten av epitaxi.

Den nya ER3 har också flera resistiva element för upphettning, för att ge kontroll över temperaturgradienter och kompensera för böjning.

Som option kan kunden mäta hur tjockt GaN växer till under processen.

– Det finns en stor potential till att sälja denna maskin till halvledarindustrin, säger Rolf Elmér, styrelseordförande i Epiluvac. De nya halvledarmaterialen med brett bandgap används i utrustning för kraftelektronik för allt från 50 w

Filed under: Nordisk Teknik, SvenskTeknik