Annons

Halvledarforskningen i frontlinjen på IEDM

IEDM, IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM, har under 60 år varit världens främsta mötesplats för att presentera resultat från den senaste forskningen inom halvledarteknik, konstruktion och tillverkning av elektroniska komponenter, halvledarfysik och skapande av modeller för elektroniska kretsar och komponenter.

Därför behåller analogtillverkarna sina fabriker

Man hör sällan begreppet fablösa halvledarföretag i dag, av det uppenbara skälet att de flesta halvledarföretag nuförtiden är fabrikslösa. Det är så vanligt att det inte är anmärkningsvärt. På de flesta håll i halvledarindustrin är kostnaden för att bygga, driva och underhålla en produktionsanläggning för halvledare så hög att den är utom räckhåll för alla […]

Nya forskarrekord på 2013 års IEDM

2013 års IEEE International Electron Devices Meeting i Washington bjöd bland annat på forskningsresultat 16 µm FinFET, MOSFET med nanotråd i kisel och runttäckande gate, monolitisk 3D-arkitektur, p-MOSFET i germanium och visualisering av CBRAM-förbindningar.

GaN HEMT kaskodkopplad med Si FET ger attraktiv komponent för 600 V

Eric Persson, Executive Director GaN Applications and Marketing, International Rectifier förklarar här GaN-komponenters karaktäristik med fokus på kaskodkoppling. Han visar också de prestanda- och verkningsgradsförbättringar som är möjliga i andra applikationer som kraftaggregat och motorstyrningar.

CMOS eller GaAs men helst båda

Debatten om CMOS kontra GaAs blev åter ett hett ämne på 2013 års International Microwave Symposium. Att välja bästa alternativ är inte så enkelt som att bara jämföra de aktiva komponenterna. I praktiken är det bäst att analysera en blandning av teknikerna. I valet mellan CMOS eller GaAs i en effektförstärkarmodul (PA) måste hela teknikuppsättningen […]

IEDM speglade dagens halvledarforskning

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) räknas med sina internationella föredrag inom områdena mikro- och nanoteknik samt bioelektronik som en av de främsta fackkonferenserna i världen. I början av december träffades toppexperter inom dessa områden för 58 gången i San Francisco.Vår amerikanske korrespondent Henning Wriedt rapporterar här från några av de intressantaste bidragen på IEDM.

GaN ger stora fördelar där effekt krävs

Under 2010 bildades företaget EpiGaN som ”spin of” från det belgiska forskningsinstitutet Imec, med en inriktning på halvledare i galliumarsenid på kiselsubstrat, GaN på Si-wafers. Tekniken kombinerar de fördelar GaN HEMT kan ge med möjligheten att producera billigt på kisel. Marianne Germain, vd och grundare av EpiGaN ger här en bakgrund till fördelarna med att […]

SiC trench-komponenter med ultralåg Ron

I denna artikel beskriver Masanori Tanimura, ROHM, nästa generation av planar-MOSFETar i kiselkarbid (SiC), Schottkydioder med trench-struktur samt trench-MOSFETar.