Posted on juni 15th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Efter 10 år av framgångsrik produktion av SiC-dioder anser vi att SiC-tekniken är så mogen att vi kan presentera vår första SiC-switch, skriver Wolfgang Bergner, Fanny Björk, Daniel Kupoler och Gerald Deboy vid Infineon Technologies.I deras artikel framgår motiveringen till att man valde att satsa på en i normalläget ledande (normally on) JFET i stället […]
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Switcha effektivare med kiselkarbid
Posted on juni 15th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?
Posted on juni 15th, 2012 by Gunnar Lilliesköld
Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler