Stadig tillväxt väntas för SiC och GaN
Philippe Roussele, från Yole Développement presenterade under ISiCPEAW några intressanta siffror från institutets senaste marknadsundersökning för effekthalvledare med brett bandgap. Bland annat framgick att denna marknad årligen väntas öka kring 7-9 procent under åren 2013 till 2020.
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Stadig tillväxt väntas för SiC och GaN