Annons

Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Basstationer står inför ett paradigmskifte

Vi står inför ett paradigmskifte! Det hävdar Christian Fager och Thomas Eriksson, professorer vid Chalmers tekniska högskola. Läs har om några pågående viktiga projekt med en framtida utvecklingspotential för basstationer.

Minneskretsar för 460 °C

Forskningsprojektet Working on Venus, stöttat av Knut och Alice Wallensbergs stiftelse, syftar till att åstadkomma elektronik som kan fungera på Venus 460 °C varma yta. Här ger vi ett sammandrag av Mattias Ekströms doktorsavhandling ”SiC CMOS and memory devices for high-temperature integrated circuits”.

UV-bildsensor som tål 550°C

Shuoben Hou har disputerat på KTH där han visar att det är möjligt att åstadkomma PIN-fotodioder i SiC som tål 550 °C. Det är den högsta temperatur som någonsin uppmätts för en fotodiod. Arbetet utfördes inom projektet ”Working on Venus”, med stöd av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse.

Konstruera högtemperaturs ASIC i SiC

Kiselkarbid, SiC, kräver speciella designverktyg. Inom projektet för Working on Venus, sponsrat av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse, har Muhammad Shakir som doktorand arbetat med att ta fram ett ”design-kit” för att enklare kunna utveckla ASIC i SiC.  

Radiomottagare klarar 500 °C

I många applikationer räcker det inte att använda komponenter som klassats för kommersiella tillämpningar (85°C) eller för militär användning (+125°C). I det av Wallenberg stödda projektet ”Working on Venus” vid KTH har syftet varit att utveckla halvledarkretsar som skall kunna användas för rymdsonder som sänds till Venus för att utforska dess yta. Här ger vi […]

Elektronik som tål Venus hetta

Forskningsprojektet Working on Venus, som inleddes i januari 2014, går mot sitt slut. Det övergripande resultatet är elektronik med brett bandgap (kiselkarbid, SiC) som tål att användas då man landat på Venus 460°C varma yta. Working on Venus är genomfört med stöd av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse. Hittills har sju av projektets nio doktorander […]

Samordnad forskning om brett bandgap skapar bättre miljö

Digitalisering och ökad elektrifiering i samhället höjer efterfrågan på elenergi och miljöhänsyn ställer ökade krav på högre verkningsgrad vid energiomvandling. I sin tur driver det forskning och utveckling av halvledare med brett bandgap, WBG, i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Årets konferens SCAPE 2019 speglade senaste rön från forskare och industri.

Hur tillförlitliga är halvledare i kiselkarbid?

En mycket välrenommerad forskare inom området krafthalvledare,  Josef Lutz, professor vid Techniche Universität Chemnitz, berättade nyligen om tillförlitligheten hos SiC-komponenter och SiC-moduler i ett seminarium på KTH. Är de tillräckligt tåliga för din konstruktion?

Satellitnavigering allt noggrannare

Nya GNSS-signaler, gärna i en kombination av olika system och med efterföljande databehandling, skapar möjligheter till robustare positionering, navigering och tidsbestämning. Det framgick vid radionavigeringsnämndens seminarium hos ÅF, den 29 november. Till trenderna hör navigering av autonoma farkoster samt tillgång till rådata i smarta telefoner.