Nytt sätt att konstruera kvantdatorer

En kvantdator lösa kan beräkningsproblem utom räckhåll för dagens superdatorer. Men när de blir större blir de svårare att kontrollera. Nu har forskare lyckats visa ett nytt sätt att konstruera kvantkretsar för enskilda ljuspartiklar. Det kan möjliggöra större och mer komplicerade kretsar – vilket är kritiskt för att kunna lösa upp kvantdatorers enorma beräkningskraft.

Sändaramatörer visar spetsteknik

  Föreningen Sveriges Sändaramatörer, SSA, hade sitt årsmöte i Stockholm under april. I samband med det hölls ett synnerligen intressant seminarium, sammanställt av Jens Zander, SM0HEV. Numera är han ordförande i föreningen, Att han under större delen av sitt yrkesverksamma liv har varit professor i radiosystemteknik på KTH satte sina spår i dagens föredragslista. Här […]

Ny LDMOS: Snabb som GaN men till Si-kostnad

Bilindustrin, IoT mm behöver en snabb, lättdriven komponent som kan tillverkas billigt. Vad sägs om en LDMOS-transistor som är snabb som vore den tillverkad i galliumnitrid men till en kostnad motsvarande en vertikal kiselkomponent och som dessutom kan integreras med såväl drivkrets som logik på ett gemensamt chip?

Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Basstationer står inför ett paradigmskifte

Vi står inför ett paradigmskifte! Det hävdar Christian Fager och Thomas Eriksson, professorer vid Chalmers tekniska högskola. Läs har om några pågående viktiga projekt med en framtida utvecklingspotential för basstationer.

Minneskretsar för 460 °C

Forskningsprojektet Working on Venus, stöttat av Knut och Alice Wallensbergs stiftelse, syftar till att åstadkomma elektronik som kan fungera på Venus 460 °C varma yta. Här ger vi ett sammandrag av Mattias Ekströms doktorsavhandling ”SiC CMOS and memory devices for high-temperature integrated circuits”.

UV-bildsensor som tål 550°C

Shuoben Hou har disputerat på KTH där han visar att det är möjligt att åstadkomma PIN-fotodioder i SiC som tål 550 °C. Det är den högsta temperatur som någonsin uppmätts för en fotodiod. Arbetet utfördes inom projektet ”Working on Venus”, med stöd av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse.

Konstruera högtemperaturs ASIC i SiC

Kiselkarbid, SiC, kräver speciella designverktyg. Inom projektet för Working on Venus, sponsrat av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse, har Muhammad Shakir som doktorand arbetat med att ta fram ett ”design-kit” för att enklare kunna utveckla ASIC i SiC.  

Radiomottagare klarar 500 °C

I många applikationer räcker det inte att använda komponenter som klassats för kommersiella tillämpningar (85°C) eller för militär användning (+125°C). I det av Wallenberg stödda projektet ”Working on Venus” vid KTH har syftet varit att utveckla halvledarkretsar som skall kunna användas för rymdsonder som sänds till Venus för att utforska dess yta. Här ger vi […]

Elektronik som tål Venus hetta

Forskningsprojektet Working on Venus, som inleddes i januari 2014, går mot sitt slut. Det övergripande resultatet är elektronik med brett bandgap (kiselkarbid, SiC) som tål att användas då man landat på Venus 460°C varma yta. Working on Venus är genomfört med stöd av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse. Hittills har sju av projektets nio doktorander […]