Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN
IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.
Filed under: Effekthalvledare, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN