Trench-MOSFET i SiC från Infineon

Posted on juni 21st, 2016 by Gunnar Lilliesköld

Infineons satsningar på halvledare i brett bandgap har resulterat i en trench-MOSFET. På gång är även transistorer i GaN. Om detta berättade Fanny Björk och Herbert Pairitsch, båda från Infineon, på årets ISICPEAW.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Trench-MOSFET i SiC från Infineon

  • Kommentaren

    Sverige får inte vara bäst

    I förra veckan besökte EU:s klimatkommissionär Wopke Hoekstra Sverige. Han var imponerad över Sveriges klimatarbete och han hade naturligtvis rätt. Trots den förra regeringens vansinniga nedläggning av fyra kärnkraftverk har ju Sverige EUs lägsta koldioxidutsläpp per invånare. Men i SVT ansträngde sig Camilla Kvartoft något alldeles otroligt för att få honom att säga att Sverige är jättedåligt.

    Läs hela krönikan

    Bläddra bland mina andra krönikor (822 stycken)

  • Gästkommentaren



    Ramine Roane, Xilinx
    Pandemin tar fortfarande mycket av vår uppmärksamhet, men samtidigt förändrar AI hur vi arbetar, hela vägen från molnet till Edge och slutpunkter.
    Ramine Roane, vice president of software and AI product marketing, Xilinx, gör här en prognos för elektronikåret 2022.
    .

    I periferin

    Gunnar Englund
    1940 – 2021
    Om strömtänger för AC och DC kan sägas vara väl utredda och kända av alla så är det kanske inte så vanligt att rogowskispolar är riktigt lika välkända. Väl utredda kan man utan vidare säga att de är men ändå är principen för hur de faktiskt fungerar och vilka begränsningar de har inte alls välkända. Det har gjort att totalt felaktiga mätningar med rogowskispolar har lett till likaledes totalt felaktiga och ineffektiva ”lösningar” på det förmodade problemet.
    Gunnar Englund gick bort 14 juni 2021. Läs mer om det här. Men hans krönikor lever och kommer förhoppningsvis att uppdateras med några till.