Annons

Samordnad forskning om brett bandgap skapar bättre miljö

Digitalisering och ökad elektrifiering i samhället höjer efterfrågan på elenergi och miljöhänsyn ställer ökade krav på högre verkningsgrad vid energiomvandling. I sin tur driver det forskning och utveckling av halvledare med brett bandgap, WBG, i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Årets konferens SCAPE 2019 speglade senaste rön från forskare och industri.

SCAPE 2019 nästa vecka

Årets internationella konferens SiC 2019 ger en aktuell  sammanfattning av halvledarkomponenter med brett bandgap. Årets konferens kommer att spegla var halvledarindustrin och forskningen står idag och vad som är möjligt att implementera i applikationer.  Inte minst kan SiC och GaN spara energi.

Årets konferens om brett bandgap 13-14 maj

Årets viktiga konferens om halvledare i kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN),  SCAPE 2019, äger rum den 13-14 maj Radison Blue Royal Park Hotel I Stockholm. En tutorial genomförs dagen innan hos RISE Acreo i Kista.