Våga satsa på SiC och GaN
Effekthalvledare i halvledarmaterial med brett bandgap, i kiselkarbid (SiC) eller galliumnitrid (GaN), ger stora fördelar jämfört med kisel (Si). Men vågar du lämna den etablerade kiseltekniken? Josef Lutz, professor vid Techniche Universität Chemnitz, berättar om tillförlitligheten hos SiC- och GaN-komponenter och -moduler i ett seminarium den 1 april på KTH.
Filed under: SvenskTeknik | Kommentarer inaktiverade för Våga satsa på SiC och GaN