Digitalisering och ökad elektrifiering i samhället höjer efterfrågan på elenergi och miljöhänsyn ställer ökade krav på högre verkningsgrad vid energiomvandling. I sin tur driver det forskning och utveckling av halvledare med brett bandgap, WBG, i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Årets konferens SCAPE 2019 speglade senaste rön från forskare och industri.

Filed under: SvenskTeknik, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Samordnad forskning om brett bandgap skapar bättre miljö

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Si möter konkurrens från både SiC och GaN

Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Brett bandgap på bred front