Annons

Intresset för brett bandgap ökar snabbare än väntat

Ökande aktiviteter i Kina, Korea och Japan satte sin prägel på årets konferens, SCAPE 2018. Svensk halvledarforskning inom brett bandgap, WBG har resulterat i bland annat integrerade kretsar för höga temperaturer, avancerad epitaxi och allt fler konstruktioner för effekttillämpningar innehåller SiC- eller GaN-halvledare. Analysföretaget Yole Développement ser nu en snabbare marknadstillväxt än vad tidigare prognoser […]

Brett bandgap i breddad kiselkarbidkonferens

Ursprungligen hade den årliga konferensen ISICPEAW en inriktning mot kiselkarbid (SiC). Men programmet har succesivt breddats till att omfatta även galliumnitrid (GaN. I år byter den namn til IWBGPEAW för att betona inriktningen mot halvledare med brett bandgap .

Si möter konkurrens från både SiC och GaN

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.

Brett bandgap på bred front

Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.