Ny LDMOS: Snabb som GaN men till Si-kostnad
Bilindustrin, IoT mm behöver en snabb, lättdriven komponent som kan tillverkas billigt. Vad sägs om en LDMOS-transistor som är snabb som vore den tillverkad i galliumnitrid men till en kostnad motsvarande en vertikal kiselkomponent och som dessutom kan integreras med såväl drivkrets som logik på ett gemensamt chip?
Filed under: SvenskTeknik, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Ny LDMOS: Snabb som GaN men till Si-kostnad