Intresset för brett bandgap ökar snabbare än väntat
Ökande aktiviteter i Kina, Korea och Japan satte sin prägel på årets konferens, SCAPE 2018. Svensk halvledarforskning inom brett bandgap, WBG har resulterat i bland annat integrerade kretsar för höga temperaturer, avancerad epitaxi och allt fler konstruktioner för effekttillämpningar innehåller SiC- eller GaN-halvledare. Analysföretaget Yole Développement ser nu en snabbare marknadstillväxt än vad tidigare prognoser […]
Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Intresset för brett bandgap ökar snabbare än väntat