Annons

Intresset för brett bandgap ökar snabbare än väntat

Ökande aktiviteter i Kina, Korea och Japan satte sin prägel på årets konferens, SCAPE 2018. Svensk halvledarforskning inom brett bandgap, WBG har resulterat i bland annat integrerade kretsar för höga temperaturer, avancerad epitaxi och allt fler konstruktioner för effekttillämpningar innehåller SiC- eller GaN-halvledare. Analysföretaget Yole Développement ser nu en snabbare marknadstillväxt än vad tidigare prognoser […]

Asien och USA dominerar brett bandgap

Konferensen IWBGPEAW 2017 arrangeras årligen i ett samarbete mellan RISE Acreo, SiC Power Center (ett initiativ av RISE Acreo, KTH och Swerea Kimab), Yole Développement, Energimyndigheten, Enterprise Europe Network och Green power electronics. USA, Japan och Kina fortsätter att stärka sina marknadspositioner inom halvledare för brett bandgap (WBG, Wide Band Gap). I en första rapport […]

Brett bandgap i breddad kiselkarbidkonferens

Ursprungligen hade den årliga konferensen ISICPEAW en inriktning mot kiselkarbid (SiC). Men programmet har succesivt breddats till att omfatta även galliumnitrid (GaN. I år byter den namn til IWBGPEAW för att betona inriktningen mot halvledare med brett bandgap .