Annons

Sjätte generationens SiC-dioder

Infineon tillhör pionjärerna bland tillverkare av dioder i kiselkarbid. Nu lanserar de sin sjätte generation Schottkydioder i SiC.

CoolSiC_Schottky_g6

NyaCoolSiC 650 V G6 har ny layout, en ny cellstruktur och ett av Infineon egenutvecklat metalliseringssystem för Schottky-övergången. Framspänningsfallet är 1,25 V och ett godhetstal, Qc×VF, som är 17 procents lägre än för tidigare generation. Den nya G6-dioden drar nytta av kiselkarbidteknikens starka karakteristika av temperaturoberoende switchning och låga laddning vid ”reverse recovery”.
Den nya SiC-komponenten kräver lägre grad av kylning, har ökad tillförlitlighet och kan switchas extremt snabbt.

Comments are closed.