SiC och GaN konkurrerar med kisel

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.
ISICPEAW arrangeras årligen i ett samarbete mellan SiC Power Center (ett initiativ av Acreo Swedish ICT, KTH och Swerea Kimab), Enterprise Europe Network och Yole Développement. Här ger vi ett referat av den avslutande debatten.


Fr v Hong Lin, Yole Développement, Elena Barbarini, System Plus Consulting, Jeffrey B Casady, Wolfspeed (f d CREE), Philip Zuk, Transphorm, Martin Domeij, Fairchild Semiconductor och Gerald Deboy, Infineon Technologies.
Läs mer.

Ladda ner instrumentöversikten

Läs temaartiklarna om mätteknik och radiomätteknik

Läs temaartiklarna om embeddedsystem

Klicka här för att prenumerera på
Elektronik i Nordens Nyhetsbrev

Läs nyhetsbreven på webben

Comments are closed.