Minskad mättnadsspänning i nya IGBT:er

Renesas Electronics 7:e generation 650V och 1250V IGBT-serie uppges sätta en ny ”teknik-benchmark” för effektiva lösningar i omvandlare för solenergi och industrimotorer.

 

Renesas Electronics lanserar nu nya serier bestående av 13 komponenter i sin 7:e generation Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT). Den nya serien RJH/RJP65S för 650V och serien RJP1CS för 1250V krafthalvledare används i omvandlare från likström till växelström och är avsedda för applikationer som ska hantera höga spänningar och stora strömmar, såsom effektomvandlare i solenergigeneratorer och för industriella motorer. Företagets 7:e generations teknik uppges vara baserad på en förbättrad waferprocess och som avväger låga förluster mot ledningsförmåga, switchförluster och robusthet mot kortslutning. Komponenterna för 600V och 1200V ska också bättre klara av temperaturkrav och blockering av överspänningar.

Nya egenskaper

  • Minskad mättnadsspänning (VCE(sat)) till 1,6V för 650V-versionerna och till 1,8V för 1250V-versionerna. Komponenterna tillverkas i företagets nya tunna waferprocess och uppges minska mättnadspänningen jämfört med den tidigare komponentgenerationen med cirka 12 procent respektive 15 procent (Typiskt värde), vilket i sin tur innebär minskade effektförluster och bidra till ökad effektivitet.
  • En högre tolerans mot kortslutning (tsc) på 10 µs eller mer genom en optimerad cellstrukturteknik ska ge större tillförlitlighet.
  • Snabbare switching ”reverse transfer capacitance (Cres)” uppge ha sänkts med cirka 10 procent jämfört med tidigare Renesas-produkter genom att optimera ytstrukturen på kretsen. Detta bidrar till en snabbare växling och gör det möjligt att bygga mer effektiva kretsar för effektomvandlare.

Dessa förbättringar bidrar till lägre effektförluster och en mer stabil drift i tillämpningar såsom för trefas inverterarkretsar som ofta används i stora strömomvandlingsblock för solenergiomvandlare eller inverterarstyrda motorer för industriellt bruk.

Provleveranser av Renesas 13 nya IGBT produkter, inklusive RJH/RJP65S-serien för 650 V och RJP1CS-serien för 1250 V är planerad att inledas i juli 2012. Massproduktion är planerad att starta i september 2012 och förväntas nå en produktionsnivå på 500 000 enheter per månad i april 2013.

Mer teknisk information finns via den här länken .

Comments are closed.