Xilinx_tpd_ny_textbanner_A_120423_120531

Thursday 17 May 22:32


Läs, bläddra och kommunicera interaktivt.


EMBEDDED
TECHNOLOGY
SPECIAL

Embeddedspecial
EMBworld_vänster knapp
ECS2011
EmbeddedSpecialen
eeTimes europe
X-parametrar för olinjära RF-kretsar Utskrift E-post
Skrivet av Gunnar Lilliesköld   
2010-10-28
De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.
Image Vi har träffat dr Mark Pierpoint, vice president och chef för divisionen EEsof EDA inom Agilent.
Image
– X-parametrar kommer att etableras mycket snabbare än vad S-parametrarna gjorde när de kom, säger dr Mark Pierpoint. Om fem år kommer användningen av X-parametrar att vara lika vanlig som S-parametrarna är idag.

Användningen av S-parametrar inleddes under början av 70-talet. Men det tog ganska lång tid innan de blev allmänt accepterade. Idag är S-parametrarna ett universalhjälpmedel för alla RF-ingenjörer. De passar utmärkt för att karakterisera passiva komponenter eller aktiva komponenter som transistorer, under förutsättning att de drivs i sitt linjära område. Därför passar S-parametrar bara att användas i småsignaltillämpningar, som exempelvis ett lågbrusigt ingångssteg (LNA) för en mottagare. I sådana sammanhang kan S-parametrarna användas i konstruktionsprogramvara (EDA) för att simulera en önskad funktion.

Olinjärt
Så snart en förstärkare styrs ut i sitt olinjära område måste man lämna S-parametrarna för annan typ av karakterisering, t ex då man konstruerar ett slutsteg för radiofrekvenser. Då handlar det om att mäta förstärkningskompression, intermodulation (ibland uttryckt som interceptpunkt), PAE, ACPR etc.
Olinjäriteter kan också avspegla sig i omvandling av amplitud-till-fas (AM-PM), något som exempelvis kan upptäckas i ett konstellationsdiagram eller som bitfel (BER, Bit Error Rate) vid dataöverföring.

Modeller
En önskan om att kunna karakterisera olinjära kretsar har funnits länge. Mark Pierpoint doktorerade vid Leeds universitet i ämnet modellering av RF-komponenter på 80-talet. Arbetet var inriktat dels på matematiska modeller, dels på att ta fram en automatiserad metod för load-pull-mätningar. Efter sin doktorsexamen 1987 kom han till Agilent (dåvarande Hewlett Packard).
Han bildade en grupp som under 20 år fokuserade på modeller.
– Under det senaste decenniet har vi koncentrerat oss på modeller för olinjära komponenter. Vi arbetade med minst tre olika lösningar som alla visade sig bli alltför komplicerade. Till slut utkristalliserade vi X-parametrar som den bästa vägen att gå. Dessa har vi nu arbetat med under minst tio år.

 

Poly harmonic distortion
X-parametrar är egentligen en "spin-off" av de PHD-modeller som tidigare togs fram av Agilents nämnda grupp. PHD är en förkortning av Poly Harmonic Distortion, en teknik för att i en "black box" skapa en modell där såväl grundtonens som övertonernas fas och amplitud ingår. Samma "black box"-tänkande präglar X-parametrarna: de avslöjar inte vad som finns inne i modellen. Detta är mycket fördelaktigt eftersom det skyddar en konstruktion från yttre insyn. "Reverse engineering" med utgångspunkt i modellen är omöjlig.
Att Agilent idag satsar stort på mätinstrument och konstruktionshjälpmedel som extraherar respektive använder sig av X-parametrar råder ingen tvekan om.
– Just nu arbetar ett hundratal personer med detta.

Lämplig mätteknik
Mättekniken utvecklades och 2008 kunde Agilent presentera inte bara X-parametrarna utan också utrustning för att extrahera dessa. I stället för S11, S12, S21 och S22 arbetar man med X21, X12, X21 och X22.
En avgörande skillnad är att X-parametrarna måste beskriva så mycket mer är S-parametrar eftersom de innehåller information om inte bara grundtonen impedans och fasläge utan även övertonernas.
X-parametrarna kan beskrivas som en beteendemodell.

Image

Det intressanta är att det finns en klar koppling mellan X- och S-parametrar: En linjär krets kommer att ha exakt samma S- och X-parametrar! Men det finns en klar och viktig skillnad: X-parametrarna kan kaskadkopplas. Därför lämpar de sig synnerligen väl i simulering av system.
Kommer då X-parametrarna att standardiseras? Kommer man att bilda ett konsortium för detta?
– Det finns ingen mening i att verka för en öppen standard. Vi har valt att märkesskydda ("trade mark") X-parametrarna. Orsaken är att vi inte vill att det skall uppstå flera olika tolkningar eller varianter. X-parametrarna skall vara entydiga!

Nytt konstruktionssätt
Agilent har utvecklar lösningar för såväl mätningar som konstruktionshjälpmedel, EDA.
Mätinstrumentlösningen består av en komplettering av företagets mest avancerade NVNA, Nonlinear Vektor Network Analyzer.
Sedan X-parametrarna utvunnits med denna utrustning kan de användas i olika konstruktionsprogramvaror från Agilent, sådana som ADS, Genesys och SystemView.
– På samma sätt som när S-parametrarna kom för 40 år sedan ändras nu konstruktionssättet.
Systemintegratörer kan direkt se hur en komponent kommer att påverka systemets storsignalegenskaper. Agilent refererar till ett aktuellt fall: Sony-Ericssons konstruktör dr Joakim Eriksson kan berätta att han på bara tre dagar kunnat skapa en komplett modell för ett RF-effektslutsteg och med utgångspunkt i denna modell se vad som händer vid missanpassning. Ett traditionellt arbetssätt, där man använder ett stort och skrymmande system för load-pull-mätningar, skulle ha krävt en månads arbetstid.

Image
Den övre bilden visar en simulering av ett LTE-system där en MMIC är inhämtad som en fil från en kretssimulator (ADS). Den undre bilden visar en systemsimulering där man i stället har lagt in X-parametrar för samma MMIC. Observera att detta är ett IP-block, skyddat från all "reverse engineering". Ytterligare en fördel är att X-parametrar kan kaskadkopplas vilket innebär att systemsimuleringen tar hänsyn till missanpassning mellan kretsar.
En jämförelse mellan mätningar av interceptpunkt för ett slutsteg med en simulering med X-parametrar visar stor överensstämmelse: 38,82 dBm kontra 38,79 dBm!

Utvinna modeller
Det finns ytterligare en fördel med X-parametrar. Med mätsystemet NVNA kan man själv utvinna X-parametrar som sedan kan användas i konstruktionsprogramvara. Tidigare har man varit hänvisad till de modeller som komponenttillverkarna ställer upp med. Och finns inte dessa modeller att tillgå kommersiellt har man tvingats använda något testhus som kan ta fram en modell av komponenten. Sådant kostar mycket pengar, långt mycket mer än vad ett NVNA-mätsystem kostar, även om detta knappast är billigt.
För framtiden planerar Agilent lösningar för att kunna se dynamiska minneseffekter i RF-effektslutsteg och att kunna utföra multiports, multi-tons-mätningar.
De första komponentleverantörer att leverera X-parametrar är Skyworks och Avago. Mark Pierpoint tror att det snart blir många fler.

Komplett mätlösning
Den mest sofistikerade produkten för komponenttest idag är Agilents NVNA, Nonlinear Vector Network Analyzer, för att utvinna X-parametrar.
Agilent baserar sin lösning på sin mest avancerade nätverksanalysator PNA-X i 2-eller 4-portsutförande för mätningar mellan 10 MHz och 13,5, 26, 43,5 eller 50 GHz, beroende på valt utförande. Med en 4-ports NVNA är det möjligt att mäta blandarsteg.
Nätverksanalysatorn är för att kunna mäta X-parametrar kompletterade med ett antal optioner. En av denna är en mycket viktig kamgenerator för att kunna kalibrera fas och amplitud. Den levererar 10 MHz med övertoner upp till ca 100 GHz. Ännu vid 50 GHz ligger amplituden bara ca 40 procent under den vid 10 MHz vilket förutsätter extremt branta flanker på pulsen.
Image
– Det var nödvändigt att använda indiumfosfid (InP), berättar Doug Dunn.
Dan Dunn är Senior Marketing Manager vid Agilent Technologies division för komponenttest och ansvarig för försäljning, marknadsföring och support över hela världen. Han var produktansvarig för den legendariska 8510-familjen av vektor-nätverksanalysatorer.
– Med NVNA har vi skapat ett system som bygger vidare på vår PNA-X. En tidigare utvecklingslinje visade sig resultera i ett alltför komplicerat system.
Agilent tillverkar en rad halvledare i egen fabrik för att kunna nå prestanda som annars inte låter sig göras med kommersiella komponenter på öppna marknaden.
Förutom kamgeneratorn behövs det en effektmätande sensor och dessutom naturligtvis ett "kalibrerings-kit" för VNAn.
En intressant möjlighet är att mäta upp X-parametrar för en förstärkning med godtycklig, komplex belastningsimpedans.
I kombination med load-pull-utrustning från Maury Microwave Corporation kan man med X-parametrar förutbestämma detaljerade ström- och spänningsförlopp för en transistor över hela Smithdiagrammet. Det är möjligt tack vare att man, till skillnad från traditionella load-pull-mätningar, får fullständig fasinformation, får in- till utgång, och magnituder samt faslägen mellan blandningsprodukter av övertoner.
– En annan ny möjlighet är kunna mäta multitons X-parametrar med NVNA, berättar Dan Dunn.
Mätning med mätsystemet NVNA ger absoluta amplituder samt inbördes faslägen för alla deltoner (grundton plus övertoner) samt alla inbördes blandningsprodukter mäts och representeras i X-parametrar. För att ta bort systemfel krävs det först vektorkalibrering, effektkalibrering och kalibrering mot en övertonsrik fasreferens.

Två utvecklingsriktningar
För närvarande finns det fyra olika lösningar för att extrahera storsignals mätdata:
* Agilent
* NMDG/Rohde & Schwarz
* Musuro/Tektronix
* HFE/Anritsu
Sedan mätdata utvunnits gäller det att presentera dessa i någon form.
Agilent satsar entydigt på sina X-parametrar och har mönsterskyddat begreppet för att se till att det blir entydigt, utan varianter.
De övriga aktörerna på marknaden har valt en annan linje. AWR, Anritsu, HFE, Mesuro, NMDG, Rohde & Schwarz och Tektronix bildade för ett år sedan konsortiet OpenWave Forum. Syftet var att skapa ett dataformat för storsignals olinjär simulering, mätningar och modeller.

 



 

 
< Föregående   Nästa >
 
 
EiN_inset1_120426
 
 
 
 
 

Inloggning till EiN

Elektronik i Nordens avdelning för registerade läsare. Logga in och delta i debatten.





Glömt ditt lösenord?
Inget konto än? Skapa ett
Bli registrerad läsare. Var med och påverka. Sätt din prägel på nyhetsflödet. Vill du också vara med och Blogga. Tala med redaktionen om förutsättningarna.

Specialartikel

Revolutionerande oscillatorteknik ersätter YIG
Phase Matrix köptes under våren av National Instruments. Därmed fick de tillgång till den avancerade oscillatortekniken QuickSyn, som kombinerar fördelarna av lågt fasbrus från en YIG-oscillator med snabba frekvensbyten i en (bredbandig) fastlåst slinga PLL. Den här visade syntesoscillatorn kan utföra snabba frekvenshopp inom 0,1 till 20 GHz, samtidigt som fasbruset ligger är mycket lågt.
Image
Läs mer...
 
Kompaktare omvandlare med GaN
Det svenska företaget Seps Technologies AB föddes utifrån en affärsidé att ta fram kompakta AC/DC-omvandlare genom att använda halvledare med brett bandgap. De har ultralåg bygghöjd och är tänkta att kunna byggas in i datorer eller batteripack.
Image

Läs mer...
 
GaN och SiC utmanar Super Junction MOSFET
Alexandre Avron, marknadsanalytiker inom kraftelektronik hos Yole Dévellopement, gav på kiselkarbidkonferensen iSiCPEAW sin bild av hur Super Junction MOSFET kommer att stå sig i konkurrensen mot MOSFET utförda i galliumnitrid eller kiselkarbid.
Läs mer...
 
SiC för MOSFET, JFET eller bipolär transistor
För olika typer av transistorer i kiselkarbid, SiC, väntar olika användningsområden, beroende på deras egenskaper. Konferensen iSiCPEAW 2011 pekade ut några av dessa egenskaper.

Läs mer...
 
SiC-industrin vinner mark
Över 200 representanter från industri och forskning deltog i årets stora kiselkarbidkonferens, iSiCPEAW, i Kista, med Bo Hammarlund, SenSiC, och Christian Vieider, Acreo, som arrangörer. Deltagarna kom från 21 länder och i år kom 65 procent från industrin.
Image
Läs mer...
 
IC för 600 grader
En av de stora fördelarna med kiselkarbid är dess tålighet mot höga temperaturer. Under årets kiselkarbidkonferens, ISiCPEAW, i Kista berättade professor Carl-Mikael Zetterling om ett nytt, SSF-finansierat projekt vid KTH, med avsikt att skapa temperaturtåliga integrerade kretsar.
Image
Läs mer...
 
Låt UV-sensorer garantera vattenkvaliteten
Avkänning i realtid av vattenkvalitet är bara en av de många möjliga tillämpningar som ny sensorteknik för ultravioletta ljusvåglängder ger. Acreos kompetenscenter IMAGIC forskar kring icke synligt ljus för avbildning och detektering och arbetar med en rad parallella spår, däribland UV-sensorer som kan resultera i banbrytande nya tillämpningar.
Image
Läs mer...
 
Grafen lovande material för halvledarkretsar
Under Halvledardagen på KTH, hösten 2010, gav professor Max Lemme en föreläsning om grafen (uttalas ”grafén”). Materialet har en rad unika egenskaper som kan utnyttjas inom halvledartekniken.
Image
Läs mer...
 
X-parametrar för olinjära RF-kretsar
De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.
Image
Läs mer...
 
SiC går från forskning till kommersiell succé
Det har tagit mycket längre tid att utveckla kiselkarbidtekniken än vad man trodde i mitten av 90-talet. På "Silicon carbide power elektronic applications workshop 2010" berättade Chris Harris, Cree om företagets och branschens status. Här ger vi ett referat, kompletterat med en intervju.
Image
Chris Harris, europeisk affärsutvecklare för effekthalvledare inom CREE.
Läs mer...
 
SiC inleder nya era för fordonselektroniken
Lars Hoffmann, ansvarig för kraftelektronik och elmaskiner i Saabs satsning på el-hybrider ser kiselkarbiden inleda en ny era inom bilektroniken.
Image
Lars Hoffmann, framför senaste Saab 9-5
Läs mer...
 
RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN
Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat.
ImageLars Vestling granskar en lyckad produktion hos VTT av LDMOS på kiselkarbidsubstrat som tillverkats av Silex.
Läs mer...
 
Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning
Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående forskningen.
Image
Läs mer...
 
Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken
Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar
Läs mer...
 
SiC står inför sitt genombrott
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
Image
Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.
Läs mer...