Maxim_textbanner_B_120502_120531

Thursday 17 May 22:16


Läs, bläddra och kommunicera interaktivt.


EMBEDDED
TECHNOLOGY
SPECIAL

Embeddedspecial
EMBworld_vänster knapp
ECS2011
EmbeddedSpecialen
eeTimes europe
Linear_boombox_LT3690_120504_120618
Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning Utskrift E-post
Skrivet av Gunnar Lilliesköld   
2010-05-20
Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående forskningen.
Image

Henrik Sjöland berättade om det arbete inom arkitekturer för sändare i switchmodteknik han har utfört, tillsammans med Carl Bryant (LU), Vandana Bassoo och Mike Faulkner (De två senare från Viktoriauniversitetet i Melbourne, Australien). De står tillsammans som författare till det kapitel (nr 18) som tar upp switchade radioslutsteg i boken Analog Circuit Design, utgiven av Springer 2010 och föredraget under SSoCC byggde på detta.
Nya standarder för mobiltelefoni utvecklas mot allt mer komplexa modulationsformer och ökad signalbandbredd. Att konstruera radioslutsteg med hög verkningsgrad för dessa är den största utmaningen. Det finns en rad olika arkitekturer för switchade slutsteg. Sådana slutsteg kan gå i klass E, F (eller inverterad klass F) eller klass D.
Problemet är att modulera dessa slutsteg eftersom de i grunden ger konstant utsignal. Slutstegets transistor fungerar i det ideala fallet som en switch som antingen är öppen (ingen ström) eller sluten (ingen spänning över den). Svårigheten är att uppnå dessa ideala tillstånd och att modulera utsignalens envelop.
Henrik Sjöland presenterade några varianter för att åstadkomma modulering:
* Modulation av matningsspänningen. Här gäller det att uppnå tillräcklig snabbhet i DC/DC-omvandlaren som modulerar matningen. Ripplet från DC/DC-omvandlingen är också en känslig punkt. När slutsteget matas med olika spänning kommer dess förstärkning och fas att ändras, vilket påverkar resultatet, och dessutom fungerar inte slutsteget under en viss spänning.
* Ett slutsteg i klass D skulle kunna pulsbreddmoduleras. Modulatorn arbetar då vid radiofrekvens och skapar en bärvåg med varierande pulsbredd. Men det är svårt att skapa ett linjärt förhållande mellan modulerande signal och pulsbreddmodulering i pulsbreddsmodulator och slutsteg. Problem uppstår vid låga uteffekter där extremt korta pulser måste skapas. Dessutom arbetar slutsteget kontinuerligt med full matningsspänning vilket ger höga switchförluster. Generellt sett ger detta problem med verkningsgraden.
* LINC, LInear amplification using Nonlinear Components, är en arkitektur där två slutsteg kopplas samman med en combiner. Slutstegen drivs med och levererar konstanta signalnivåer. Genom att låta modulationssignalen styra faslägena mellan dem kommer de summerade vektorerna att åstadkomma en varierande utamplitud. Svagheterna i metoden ligger i att det krävs hög noggrannhet vid låga amplituder, att slutstegen ser en starkt varierande impedans och att combinern ger förluster. Dessutom blir verkningsgraden låg vid låga amplituder.
* On/off burst-modulation. Slutsteget levererar skurar av vågformer där skurarnas varaktighet i slutänden påverkar envelopen. Skuren kan antingen levereras till slutsteget med hjälp av en delta-sigma-modulator, eller drivs slutsteget av en pulsbreddsmodulator (ekvivalent med att använda en ofiltrerad DC/DC-omvandlare). Metoden kräver RF-bandpassfilter med branta flanker.
* Lastmodulation. I detta fall moduleras ett anpassningsnät på slutstegets utgång. Varierande antennimpedans skapar problem liksom att slutsteget känner en varierande impedans. Att få god linjäritet och ett tillräckligt avstämningsområde är krävande uppgifter att lösa beträffande impedansavstämningen.
* LINC och PWM. Teknikerna har likheter i det att man i LINC summerar signaler från två slutsteg. Men i stället för att summera två RF-signaler i en combiner kan man med pulsbreddsmodulerad teknik, PWM, summera två digitala, med modulationssignalen fasförskjutna, signaler i en OCH-grind.
* Polära arkitekturer innebär att man skiljer på fas- och amplitudmodulation. Fasmodulationen påverkar RF-signalen till slutsteget och amplitudmodulationen sker genom en styrd DC/DC-omvandlare för slutstegets spänningsmatning. Alla modulationsteknikerna ovan kräver en polär arkitektur. En nackdel med detta är att bandbredden på signalerna kan bli stor.
* PWM + matningsspänningsmodulation ger hög verkningsgrad över hela effektområdet. Metoden sänker samtidigt kraven på bandbredd hos DC/DC omvandlaren.
* För att få ytterligare reduktion av envelopbandbredden kan PWM och matningsspänningsmodulation kombineras med filter.
* Cartesisk arkitektur. Genom att undvika den olinjära transformeringen från cartesiska till polära koordinater uppstår ingen bandbreddsexpansion, vilket är speciellt viktigt i bredbandiga system. Lämpliga arkitekturer är kvadratur-PWM eller dubbel LINC. Med kvadratur PWM används två PWM-modulatorer, I och Q. Två pulser per RF-cykel ger höga switchförluster och pulserna blir dessutom korta vid passage av I- och Q-axlar. Fördelen är att det bara behövs en RF-effektförstärkare och därför inga combiners.
Dubbel LINC kräver en combiner med ingångar från fyra slutsteg. Nackdelarna är switchförluster, förluster i combinern, fasberoende belastningsimpedanser för PA och lägre maxeffekt. Fördelen är att inga korta pulser skapas då I- och Q-axlarna passeras.
* Digitala delta-sigma-arkitekturer har fördelarna av en digital implementering där klockflankerna kan ske vid väldefinierade tidpunkter. Nackdelen är kvantiseringsbruset. Som arkitektur kan användas bandpass delta-sigma-omvandlare med klockfrekvens 4×RF. Den höga switchfrekvensen ger förluster.
* För att minska förlusterna kan i stället användas PWM/PPM med filtrering i Cartesiska domänen.
Henrik Sjölands slutsats var att bland många tänkbara arkitekturer uppnådde man högsta verkningsgrad genom att kombinera modulation av matningsspänningen med PWM och att undvika onödig switchning.
För applikationer där stor bandbredd krävs kan man använda Cartesiska arkitekturer som kvadratur-PWM eller dubbel LINC. Om god filtrering kan åstadkommas är också delta-sigma ett alternativ.

 

 
< Föregående   Nästa >
 
 
EiN_inset1_120426
 
 
 
 
 

Inloggning till EiN

Elektronik i Nordens avdelning för registerade läsare. Logga in och delta i debatten.





Glömt ditt lösenord?
Inget konto än? Skapa ett
Bli registrerad läsare. Var med och påverka. Sätt din prägel på nyhetsflödet. Vill du också vara med och Blogga. Tala med redaktionen om förutsättningarna.

Specialartikel

Revolutionerande oscillatorteknik ersätter YIG
Phase Matrix köptes under våren av National Instruments. Därmed fick de tillgång till den avancerade oscillatortekniken QuickSyn, som kombinerar fördelarna av lågt fasbrus från en YIG-oscillator med snabba frekvensbyten i en (bredbandig) fastlåst slinga PLL. Den här visade syntesoscillatorn kan utföra snabba frekvenshopp inom 0,1 till 20 GHz, samtidigt som fasbruset ligger är mycket lågt.
Image
Läs mer...
 
Kompaktare omvandlare med GaN
Det svenska företaget Seps Technologies AB föddes utifrån en affärsidé att ta fram kompakta AC/DC-omvandlare genom att använda halvledare med brett bandgap. De har ultralåg bygghöjd och är tänkta att kunna byggas in i datorer eller batteripack.
Image

Läs mer...
 
GaN och SiC utmanar Super Junction MOSFET
Alexandre Avron, marknadsanalytiker inom kraftelektronik hos Yole Dévellopement, gav på kiselkarbidkonferensen iSiCPEAW sin bild av hur Super Junction MOSFET kommer att stå sig i konkurrensen mot MOSFET utförda i galliumnitrid eller kiselkarbid.
Läs mer...
 
SiC för MOSFET, JFET eller bipolär transistor
För olika typer av transistorer i kiselkarbid, SiC, väntar olika användningsområden, beroende på deras egenskaper. Konferensen iSiCPEAW 2011 pekade ut några av dessa egenskaper.

Läs mer...
 
SiC-industrin vinner mark
Över 200 representanter från industri och forskning deltog i årets stora kiselkarbidkonferens, iSiCPEAW, i Kista, med Bo Hammarlund, SenSiC, och Christian Vieider, Acreo, som arrangörer. Deltagarna kom från 21 länder och i år kom 65 procent från industrin.
Image
Läs mer...
 
IC för 600 grader
En av de stora fördelarna med kiselkarbid är dess tålighet mot höga temperaturer. Under årets kiselkarbidkonferens, ISiCPEAW, i Kista berättade professor Carl-Mikael Zetterling om ett nytt, SSF-finansierat projekt vid KTH, med avsikt att skapa temperaturtåliga integrerade kretsar.
Image
Läs mer...
 
Låt UV-sensorer garantera vattenkvaliteten
Avkänning i realtid av vattenkvalitet är bara en av de många möjliga tillämpningar som ny sensorteknik för ultravioletta ljusvåglängder ger. Acreos kompetenscenter IMAGIC forskar kring icke synligt ljus för avbildning och detektering och arbetar med en rad parallella spår, däribland UV-sensorer som kan resultera i banbrytande nya tillämpningar.
Image
Läs mer...
 
Grafen lovande material för halvledarkretsar
Under Halvledardagen på KTH, hösten 2010, gav professor Max Lemme en föreläsning om grafen (uttalas ”grafén”). Materialet har en rad unika egenskaper som kan utnyttjas inom halvledartekniken.
Image
Läs mer...
 
X-parametrar för olinjära RF-kretsar
De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.
Image
Läs mer...
 
SiC går från forskning till kommersiell succé
Det har tagit mycket längre tid att utveckla kiselkarbidtekniken än vad man trodde i mitten av 90-talet. På "Silicon carbide power elektronic applications workshop 2010" berättade Chris Harris, Cree om företagets och branschens status. Här ger vi ett referat, kompletterat med en intervju.
Image
Chris Harris, europeisk affärsutvecklare för effekthalvledare inom CREE.
Läs mer...
 
SiC inleder nya era för fordonselektroniken
Lars Hoffmann, ansvarig för kraftelektronik och elmaskiner i Saabs satsning på el-hybrider ser kiselkarbiden inleda en ny era inom bilektroniken.
Image
Lars Hoffmann, framför senaste Saab 9-5
Läs mer...
 
RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN
Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat.
ImageLars Vestling granskar en lyckad produktion hos VTT av LDMOS på kiselkarbidsubstrat som tillverkats av Silex.
Läs mer...
 
Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning
Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående forskningen.
Image
Läs mer...
 
Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken
Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar
Läs mer...
 
SiC står inför sitt genombrott
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
Image
Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.
Läs mer...