Saturday 4 Feb 16:40


Läs, bläddra och kommunicera interaktivt.


EMBEDDED
TECHNOLOGY
SPECIAL

Embeddedspecial
EMBworld_vänster knapp
ECS2011
EmbeddedSpecialen
eeTimes europe
 
SiC står inför sitt genombrott Utskrift E-post
Skrivet av Gunnar Lilliesköld   
2009-04-23
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
Image
Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.
I en rad applikationer kommer SiC-komponenter att behövas. Martin Svensson, från den stora elsvetstillverkaren Esab, berättad att man på sikt vill byta ut kisel mot kiselkarbid i dioder för effektfaktorkorrigering (PFC) och i 1200-1400 V IGBTer. Syftet är främst att kunna höja switchfrekvensen rejält för att därmed kunna minska volymen kraftigt.
Danaher motion använder idag kiselhalvledare i sina truckar. Där efterlyser man nu kiselkarbid eftersom kisel inte kan utnyttjas fullt ut vid 80°C omgivningstemperatur. För hybridfordon skulle man behöva 1200 V SiC-komponenter som kan switchas med 8-12 kHz, "hård switchning". Dessa skulle få lägre förluster än Si IGBT vid 2 kHz. Ett problem med dagens kapslar är dock att de interna induktanserna är för stora.
– Kiselkarbid har stor potential, men kapslarna måste bli bättre, slog Tord Nilsson, Danaher fast.
Lars Rydén, Volvo, ser ett problem i de förluster som idag finns i exempelvis hybridbussar. Sådana körs nu i Stockholm, drivna av 600 V, men med alltför låg verkningsgrad i drivelektroniken. Nu väntar han på krafthalvledare i kiselkarbid, något han uttryckte med orden:
– Never ever before, we been at a transistor bakery shop, before it opens!
Mats Authén, Bombardier ser förtjänster med SiC. Men än så länge finns det inga komponenter som kan hålla i garanterat 30 år, något som järnvägsapplikationerna kräver.
Verkligt höga krav på spännings- och effekttålighet ställde Per Ranstad från Alstom. De tillverkar el-filter för kolkraftverk. Deras SIR-serie el-filter arbetar med 70 kV/1700 mA och i den största installationen ingår 48 SIR. Blott 1 procents höjning av verkningsgraden betyder stora energivinster!
ABB lade ned sitt forskningsprojekt på kiselkarbid 2001. Den officiella motiveringen var att man hade alltför många materialproblem att lösa i form av micropipes och dislokationer (Andra menar att det var ABBs ekonomiska kris som var orsaken till nedläggningen).
– Vi trodde inte att dessa problem skulle lösas inom fem år, sade Heinz Lendemann, ABB. Nu har det gått 8-9 år.
Nu finns det felfria wafers att köpa. (Kanske det hade inte gått så lång tid om ABB-projektet hade fått fortgå? red anm).
ABB har fått ett kontrakt att bygga en HVDC-länk mellan Dublin och Liverpool, 500 mW ±200 kV, för att överföra vindkraftenergi från Irland.
– Här skulle det vara intressant att höja verkningsgraden med hjälp av kiselkarbid. Jag är glad att se den utveckling som kiselkarbidhalvledare har genomgått. Nu önskar vi bara att de skall bli billiga och tillförlitliga.
Adolf Schöner, Acreo, ser stora möjligheter till att företaget Transics komponenter kan passa i några av industrins applikationer.
– Komponenterna finns nu, men vi behöver mer "input" från industrin för att kunna skräddarsy komponenterna för dess behov.
Gunnar Lilliesköld
 
< Föregående
Panasonic_Inset_halv_110513_1203331
 
 
 
 
 
 
 

Inloggning till EiN

Elektronik i Nordens avdelning för registerade läsare. Logga in och delta i debatten.





Glömt ditt lösenord?
Inget konto än? Skapa ett
Bli registrerad läsare. Var med och påverka. Sätt din prägel på nyhetsflödet. Vill du också vara med och Blogga. Tala med redaktionen om förutsättningarna.

Specialartikel

Revolutionerande oscillatorteknik ersätter YIG
Phase Matrix köptes under våren av National Instruments. Därmed fick de tillgång till den avancerade oscillatortekniken QuickSyn, som kombinerar fördelarna av lågt fasbrus från en YIG-oscillator med snabba frekvensbyten i en (bredbandig) fastlåst slinga PLL. Den här visade syntesoscillatorn kan utföra snabba frekvenshopp inom 0,1 till 20 GHz, samtidigt som fasbruset ligger är mycket lågt.
Image
Läs mer...
 
Kompaktare omvandlare med GaN
Det svenska företaget Seps Technologies AB föddes utifrån en affärsidé att ta fram kompakta AC/DC-omvandlare genom att använda halvledare med brett bandgap. De har ultralåg bygghöjd och är tänkta att kunna byggas in i datorer eller batteripack.
Image

Läs mer...
 
GaN och SiC utmanar Super Junction MOSFET
Alexandre Avron, marknadsanalytiker inom kraftelektronik hos Yole Dévellopement, gav på kiselkarbidkonferensen iSiCPEAW sin bild av hur Super Junction MOSFET kommer att stå sig i konkurrensen mot MOSFET utförda i galliumnitrid eller kiselkarbid.
Läs mer...
 
SiC för MOSFET, JFET eller bipolär transistor
För olika typer av transistorer i kiselkarbid, SiC, väntar olika användningsområden, beroende på deras egenskaper. Konferensen iSiCPEAW 2011 pekade ut några av dessa egenskaper.

Läs mer...
 
SiC-industrin vinner mark
Över 200 representanter från industri och forskning deltog i årets stora kiselkarbidkonferens, iSiCPEAW, i Kista, med Bo Hammarlund, SenSiC, och Christian Vieider, Acreo, som arrangörer. Deltagarna kom från 21 länder och i år kom 65 procent från industrin.
Image
Läs mer...
 
IC för 600 grader
En av de stora fördelarna med kiselkarbid är dess tålighet mot höga temperaturer. Under årets kiselkarbidkonferens, ISiCPEAW, i Kista berättade professor Carl-Mikael Zetterling om ett nytt, SSF-finansierat projekt vid KTH, med avsikt att skapa temperaturtåliga integrerade kretsar.
Image
Läs mer...
 
Låt UV-sensorer garantera vattenkvaliteten
Avkänning i realtid av vattenkvalitet är bara en av de många möjliga tillämpningar som ny sensorteknik för ultravioletta ljusvåglängder ger. Acreos kompetenscenter IMAGIC forskar kring icke synligt ljus för avbildning och detektering och arbetar med en rad parallella spår, däribland UV-sensorer som kan resultera i banbrytande nya tillämpningar.
Image
Läs mer...
 
Grafen lovande material för halvledarkretsar
Under Halvledardagen på KTH, hösten 2010, gav professor Max Lemme en föreläsning om grafen (uttalas ”grafén”). Materialet har en rad unika egenskaper som kan utnyttjas inom halvledartekniken.
Image
Läs mer...
 
X-parametrar för olinjära RF-kretsar
De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.
Image
Läs mer...
 
SiC går från forskning till kommersiell succé
Det har tagit mycket längre tid att utveckla kiselkarbidtekniken än vad man trodde i mitten av 90-talet. På "Silicon carbide power elektronic applications workshop 2010" berättade Chris Harris, Cree om företagets och branschens status. Här ger vi ett referat, kompletterat med en intervju.
Image
Chris Harris, europeisk affärsutvecklare för effekthalvledare inom CREE.
Läs mer...
 
SiC inleder nya era för fordonselektroniken
Lars Hoffmann, ansvarig för kraftelektronik och elmaskiner i Saabs satsning på el-hybrider ser kiselkarbiden inleda en ny era inom bilektroniken.
Image
Lars Hoffmann, framför senaste Saab 9-5
Läs mer...
 
RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN
Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat.
ImageLars Vestling granskar en lyckad produktion hos VTT av LDMOS på kiselkarbidsubstrat som tillverkats av Silex.
Läs mer...
 
Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning
Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående forskningen.
Image
Läs mer...
 
Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken
Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar
Läs mer...
 
SiC står inför sitt genombrott
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
Image
Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.
Läs mer...