TesthouseNordic_textbanner_C_120425_120701

Thursday 17 May 21:58


Läs, bläddra och kommunicera interaktivt.


EMBEDDED
TECHNOLOGY
SPECIAL

Embeddedspecial
EMBworld_vänster knapp
ECS2011
EmbeddedSpecialen
eeTimes europe
Linear_boombox_LT3690_120504_120618
Revolutionerande oscillatorteknik ersätter YIG Utskrift E-post
Skrivet av Gunnar Lilliesköld   
2011-08-31
Phase Matrix köptes under våren av National Instruments. Därmed fick de tillgång till den avancerade oscillatortekniken QuickSyn, som kombinerar fördelarna av lågt fasbrus från en YIG-oscillator med snabba frekvensbyten i en (bredbandig) fastlåst slinga PLL. Den här visade syntesoscillatorn kan utföra snabba frekvenshopp inom 0,1 till 20 GHz, samtidigt som fasbruset ligger är mycket lågt.
Image

Den gängse metoden att åstadkomma resonanskretsar med högt Q-värde är att använda YIG, en resonanskrets som består av ett klot av en enda syntetisk kristall av syntetisk granat av yttrium–indium (Yttrium, Iron, Garnet = YIG, med kemiska formeln Y3Fe5O12) vars resonansfrekvens avstäms magnetiskt, i princip med hjälp av två korslagda ledningar.
Även utvecklingen har gått mot mindre lösningar är YIG-resonatorn fortfarande en skrymmande komponent som man länge velat ersätta med något annat. En YIG-resonator kan linjärt stämmas av över ett mycket stort frekvensområde, exempelvis 3 – 50 GHz, men framför allt används YIG-resonatorer på grund av sitt höga Q-värde.
Ett högt Q-värde är en av förutsättningarna för att nå lågt sidbandsbrus (fasbrus) i oscillatorer, därför har YIG-oscillatorer varit ett självklart val i exempelvis spektrumoscillatorer och generatorer för mikrovågsområdet.

YIG kontra VCO
National Instruments köpte nyligen företaget Phase Matrix efter att under några år ha samarbetat med företaget och köpt systemkomponenter för mikrovåg från dem.
Phase Matrix har tagit fram syntesoscillatorer som är avstämbara från relativt låga frekvenser upp till för mikrovåg. Dessa är till skillnad från YIG-oscillatorer snabbt omställbara men de har lika lågt, eller lägre sidbandsbrus, än en YIG-oscillator! Phase Matrix kallar tekniken QuickSyn.
Omställningstiden för en YIG-oscillator rör sig om flera tiotals millisekunder. QuickSyn-tekniken, däremot, medger omställning från en frekvens till valfri frekvens inom avstämningsområdet på bara 100 µs. En annan fördel, jämfört med YIG, är att effektförbrukningen är låg.

Möte med uppfinnaren
På NiWeek i Austin träffade undertecknad upphovsmannen till QuickSyn, dr Alexander Chenakin, och bad honom att förklara hur detta är möjligt att kunna kombinera snabb omställningstid och lågt fasbrus. Han leder gruppen för frekvenssyntes inom Phase matrix.
– Vi använder en kombination av tre tekniker: analog direktsyntes, digital direktsyntes och indirekt syntes.
* Analog direktsyntes bygger på att fasta signaler (ofta med kristallreferens) blandas för att få den önskade frekvensen. Omkopplingstiden är mycket snabb. Nackdelarna är att metoden skapar falska blandningsfrekvenser (spurioser) som måste dämpas med filter, att det krävs många olika frekvenser, och att det blir dyrt och komplicerat.
* Digital direktsyntes, DDS, medger snabb omställning av frekvenser, men de ger spurioser (falska frekvenser) och har ett begränsat avstämningsområde. Därför begränsas användningen av DDS till finavstämning.
* Indirekt syntes innebär faslåst slinga (PLL, phase looked loop). Med en VCO (spänningsstyrd oscillator) i stället för YIG-oscillator blir det möjligt att snabbt ställa om frekvensen om slingans bandbredd är hög. Men sidbandsbruset blir betydligt högre än med YIG.
En av orsakerna till det är att frekvensdelaren i den faslåsta slingan höjer bruset med 20log n, där n står för delningstalet. Om delningstalet är 10 000 gånger ökar sidbandsbruset sålunda med 80 dB! Dessutom bidrar varje komponent i slingan med brus, dvs från såväl VCO och fasdetektor som från frekvensdelaren.
Ofta låter man flera faslåsta slingor i en frekvenssyntetisator för att undvika höga delningstal.

ny metod

Alexander Chenakins metod innebär att man ersätter frekvensdelaren i en PLL med ett antal blandare i en konstellation liknande den för analog direktsyntes. Då kan man inte bara få ett brus som ligger i nivå med referensoscillatorns, utan till och med lägre:
Image
– Genom att tillämpa frekvensdubbling i återkopplingskedjan av blandare kan man minska sidbandsbruset och i en ytterlighet till och med sänka det under den nivå som själva VCOn ger, berättar Chenakin!
Det är mycket viktigt att referensfrekvensens brus är lågt. I många fall kan man använda en kommersiell 100 MHz OCXO med exempelvis -163 dBc sidbansbrus vid 10 kHz från centerfrekvensen. En sådan kan styra en oscillator med coaxialresonator (CRO) eller oscillator med dielektrisk resonator (DRO) i syfte att sänka sidbandsbruset på längre avstånd från centerfrekvensen, säg 1 MHz.
En typisk kombination med en OCXO (-163 dBc) och CRO eller DRO kan resultera i en brusnivå, 10 kHz avstånd från centerfrekvensen, på -123 dBc vid 10 GHz eller -137 dBc vid 2 GHz.
QuickSyn har idag två syntesoscillatorer på marknaden: FSW-0010, för 0,1 till 20 GHz, och FSW-0020, för 0,2 till 20 GHz. Med tillhörande programvara fungerar de som fristående signalgeneratorer med amplitud och frekvensmodulering. Fasbruset anges till -138 dBc/Hz på 10 kHz avstånd från bärvågen vid 1 GHz och -148 dBc/Hz vid 0,1 GHz. Vid 20 GHz är siffran -116 dB.
Med QuickSyn-tekniken undviker man ytterligare nackdelar hos YIG, som känsligheten mot mikrofoni och hög effektförbrukning.

 

 
Nästa >
 
 
EiN_inset1_120426
 
 
 
 
 

Inloggning till EiN

Elektronik i Nordens avdelning för registerade läsare. Logga in och delta i debatten.





Glömt ditt lösenord?
Inget konto än? Skapa ett
Bli registrerad läsare. Var med och påverka. Sätt din prägel på nyhetsflödet. Vill du också vara med och Blogga. Tala med redaktionen om förutsättningarna.

Specialartikel

Revolutionerande oscillatorteknik ersätter YIG
Phase Matrix köptes under våren av National Instruments. Därmed fick de tillgång till den avancerade oscillatortekniken QuickSyn, som kombinerar fördelarna av lågt fasbrus från en YIG-oscillator med snabba frekvensbyten i en (bredbandig) fastlåst slinga PLL. Den här visade syntesoscillatorn kan utföra snabba frekvenshopp inom 0,1 till 20 GHz, samtidigt som fasbruset ligger är mycket lågt.
Image
Läs mer...
 
Kompaktare omvandlare med GaN
Det svenska företaget Seps Technologies AB föddes utifrån en affärsidé att ta fram kompakta AC/DC-omvandlare genom att använda halvledare med brett bandgap. De har ultralåg bygghöjd och är tänkta att kunna byggas in i datorer eller batteripack.
Image

Läs mer...
 
GaN och SiC utmanar Super Junction MOSFET
Alexandre Avron, marknadsanalytiker inom kraftelektronik hos Yole Dévellopement, gav på kiselkarbidkonferensen iSiCPEAW sin bild av hur Super Junction MOSFET kommer att stå sig i konkurrensen mot MOSFET utförda i galliumnitrid eller kiselkarbid.
Läs mer...
 
SiC för MOSFET, JFET eller bipolär transistor
För olika typer av transistorer i kiselkarbid, SiC, väntar olika användningsområden, beroende på deras egenskaper. Konferensen iSiCPEAW 2011 pekade ut några av dessa egenskaper.

Läs mer...
 
SiC-industrin vinner mark
Över 200 representanter från industri och forskning deltog i årets stora kiselkarbidkonferens, iSiCPEAW, i Kista, med Bo Hammarlund, SenSiC, och Christian Vieider, Acreo, som arrangörer. Deltagarna kom från 21 länder och i år kom 65 procent från industrin.
Image
Läs mer...
 
IC för 600 grader
En av de stora fördelarna med kiselkarbid är dess tålighet mot höga temperaturer. Under årets kiselkarbidkonferens, ISiCPEAW, i Kista berättade professor Carl-Mikael Zetterling om ett nytt, SSF-finansierat projekt vid KTH, med avsikt att skapa temperaturtåliga integrerade kretsar.
Image
Läs mer...
 
Låt UV-sensorer garantera vattenkvaliteten
Avkänning i realtid av vattenkvalitet är bara en av de många möjliga tillämpningar som ny sensorteknik för ultravioletta ljusvåglängder ger. Acreos kompetenscenter IMAGIC forskar kring icke synligt ljus för avbildning och detektering och arbetar med en rad parallella spår, däribland UV-sensorer som kan resultera i banbrytande nya tillämpningar.
Image
Läs mer...
 
Grafen lovande material för halvledarkretsar
Under Halvledardagen på KTH, hösten 2010, gav professor Max Lemme en föreläsning om grafen (uttalas ”grafén”). Materialet har en rad unika egenskaper som kan utnyttjas inom halvledartekniken.
Image
Läs mer...
 
X-parametrar för olinjära RF-kretsar
De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.
Image
Läs mer...
 
SiC går från forskning till kommersiell succé
Det har tagit mycket längre tid att utveckla kiselkarbidtekniken än vad man trodde i mitten av 90-talet. På "Silicon carbide power elektronic applications workshop 2010" berättade Chris Harris, Cree om företagets och branschens status. Här ger vi ett referat, kompletterat med en intervju.
Image
Chris Harris, europeisk affärsutvecklare för effekthalvledare inom CREE.
Läs mer...
 
SiC inleder nya era för fordonselektroniken
Lars Hoffmann, ansvarig för kraftelektronik och elmaskiner i Saabs satsning på el-hybrider ser kiselkarbiden inleda en ny era inom bilektroniken.
Image
Lars Hoffmann, framför senaste Saab 9-5
Läs mer...
 
RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN
Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat.
ImageLars Vestling granskar en lyckad produktion hos VTT av LDMOS på kiselkarbidsubstrat som tillverkats av Silex.
Läs mer...
 
Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning
Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående forskningen.
Image
Läs mer...
 
Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken
Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar
Läs mer...
 
SiC står inför sitt genombrott
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
Image
Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.
Läs mer...