Maxim_textbanner_C_120502_120531

Thursday 17 May 21:37


Läs, bläddra och kommunicera interaktivt.


EMBEDDED
TECHNOLOGY
SPECIAL

Embeddedspecial
EMBworld_vänster knapp
ECS2011
EmbeddedSpecialen
eeTimes europe
Linear_boombox_LT3690_120504_120618
Mästare i ljus och CCD får nobelpris Utskrift E-post
Skrivet av Jonas Karlsson   
2009-10-06
Charles K. Kao vid Standard Telecommunication Laboratories, Harlow i Storbritannien och Chinese University i Hong Kong delar med Willard S. Boyle och George E. Smith vid Bell Laboratories, Murray Hill, NJ i USA årets nobelpris i fysik.

1966 gjorde Charles K. Kao en upptäckt som innebar ett genombrott inom området fiberoptik. Han kunde kalkylera hur ljus kunde skickas ut över långa avstånd, via optiska fibrer tillverkade i glas. Med en fiber av rent glas skulle det vara möjligt att skicka ljussignaler över 100 kilometer jämfört med de 20 meter i de fibrer som då fanns att tillgå på 60-talet. Han inspirerade andra forskare med sin vision om den framtida potentialen inom fiberoptik. Den första ultra-rena fibern togs fram bara fyra år senare, 1970.

Om vi i dag skulle sträcka ut alla de glasfibrer som lindar in jordgloben får vi en över en miljard kilometer lång tråd – över 25 000 varv runt jorden, skriver Kungliga Vetenskapsakademien i en kommentar.

De andra två pristagarna som får dela på andra hälften av fysikpriset är Willard S. Boyle och George E. Smith. En stor del av teletrafiken utgörs numera av digitala bilder där den första framgångsrika tekniken var en bildsensor, en CCD (charge-coupled device). Den uppfanns 1969 av Willard S. Boyle och George E. Smith. CCD-tekniken bygger på fotoelektrisk effekt, teoretiskt förklarad av Albert Einstein vilket gav honom 1921 års Nobelpris. Effekten innebär att ljus omvandlas till elektriska signaler. Utmaningen med konstruktionen av en brett användbar bildsensor var att kunna samla ihop och avläsa ljussignalerna i väldigt många bildpunkter (pixlar) på kort tid. Det löste Boyle och Smith i en handvändning 1969.

Den totala prissumman är på 10 miljoner kronor.
Kommentarer (0)Add Comment

Skriv kommentar

security code
Skriv bokstäverna ovan i textrutan nedanför


busy
 
< Föregående   Nästa >
 
 
EiN_inset1_120426
 
 
 
 
 

Inloggning till EiN

Elektronik i Nordens avdelning för registerade läsare. Logga in och delta i debatten.





Glömt ditt lösenord?
Inget konto än? Skapa ett
Bli registrerad läsare. Var med och påverka. Sätt din prägel på nyhetsflödet. Vill du också vara med och Blogga. Tala med redaktionen om förutsättningarna.

Specialartikel

Revolutionerande oscillatorteknik ersätter YIG
Phase Matrix köptes under våren av National Instruments. Därmed fick de tillgång till den avancerade oscillatortekniken QuickSyn, som kombinerar fördelarna av lågt fasbrus från en YIG-oscillator med snabba frekvensbyten i en (bredbandig) fastlåst slinga PLL. Den här visade syntesoscillatorn kan utföra snabba frekvenshopp inom 0,1 till 20 GHz, samtidigt som fasbruset ligger är mycket lågt.
Image
Läs mer...
 
Kompaktare omvandlare med GaN
Det svenska företaget Seps Technologies AB föddes utifrån en affärsidé att ta fram kompakta AC/DC-omvandlare genom att använda halvledare med brett bandgap. De har ultralåg bygghöjd och är tänkta att kunna byggas in i datorer eller batteripack.
Image

Läs mer...
 
GaN och SiC utmanar Super Junction MOSFET
Alexandre Avron, marknadsanalytiker inom kraftelektronik hos Yole Dévellopement, gav på kiselkarbidkonferensen iSiCPEAW sin bild av hur Super Junction MOSFET kommer att stå sig i konkurrensen mot MOSFET utförda i galliumnitrid eller kiselkarbid.
Läs mer...
 
SiC för MOSFET, JFET eller bipolär transistor
För olika typer av transistorer i kiselkarbid, SiC, väntar olika användningsområden, beroende på deras egenskaper. Konferensen iSiCPEAW 2011 pekade ut några av dessa egenskaper.

Läs mer...
 
SiC-industrin vinner mark
Över 200 representanter från industri och forskning deltog i årets stora kiselkarbidkonferens, iSiCPEAW, i Kista, med Bo Hammarlund, SenSiC, och Christian Vieider, Acreo, som arrangörer. Deltagarna kom från 21 länder och i år kom 65 procent från industrin.
Image
Läs mer...
 
IC för 600 grader
En av de stora fördelarna med kiselkarbid är dess tålighet mot höga temperaturer. Under årets kiselkarbidkonferens, ISiCPEAW, i Kista berättade professor Carl-Mikael Zetterling om ett nytt, SSF-finansierat projekt vid KTH, med avsikt att skapa temperaturtåliga integrerade kretsar.
Image
Läs mer...
 
Låt UV-sensorer garantera vattenkvaliteten
Avkänning i realtid av vattenkvalitet är bara en av de många möjliga tillämpningar som ny sensorteknik för ultravioletta ljusvåglängder ger. Acreos kompetenscenter IMAGIC forskar kring icke synligt ljus för avbildning och detektering och arbetar med en rad parallella spår, däribland UV-sensorer som kan resultera i banbrytande nya tillämpningar.
Image
Läs mer...
 
Grafen lovande material för halvledarkretsar
Under Halvledardagen på KTH, hösten 2010, gav professor Max Lemme en föreläsning om grafen (uttalas ”grafén”). Materialet har en rad unika egenskaper som kan utnyttjas inom halvledartekniken.
Image
Läs mer...
 
X-parametrar för olinjära RF-kretsar
De väletablerade S-parametrarna duger enbart för att karakterisera linjära komponenter. X-parametrar, däremot, kan karaktärisera även olinjära element och användas för att simulera exempelvis blandarsteg. Agilent satsar nu stort på lösningar för att mäta, karakterisera, modellera och simulera X-parametrar.
Image
Läs mer...
 
SiC går från forskning till kommersiell succé
Det har tagit mycket längre tid att utveckla kiselkarbidtekniken än vad man trodde i mitten av 90-talet. På "Silicon carbide power elektronic applications workshop 2010" berättade Chris Harris, Cree om företagets och branschens status. Här ger vi ett referat, kompletterat med en intervju.
Image
Chris Harris, europeisk affärsutvecklare för effekthalvledare inom CREE.
Läs mer...
 
SiC inleder nya era för fordonselektroniken
Lars Hoffmann, ansvarig för kraftelektronik och elmaskiner i Saabs satsning på el-hybrider ser kiselkarbiden inleda en ny era inom bilektroniken.
Image
Lars Hoffmann, framför senaste Saab 9-5
Läs mer...
 
RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN
Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat.
ImageLars Vestling granskar en lyckad produktion hos VTT av LDMOS på kiselkarbidsubstrat som tillverkats av Silex.
Läs mer...
 
Switchade RF-slutsteg kräver mer forskning
Nästa stora steg i utvecklingen av RF-slutsteg är att använda switchteknik. Det har man talat om länge, men det finns många problem att lösa och nya kommer till i takt med nya upptäckter. Under konferensen SSoCC gav Henrik Sjöland, professor vid institutionen för elektro- och informationsteknik vid Lunds Universitet (LU), en insikt i den pågående forskningen.
Image
Läs mer...
 
Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken
Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar
Läs mer...
 
SiC står inför sitt genombrott
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
Image
Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet.
Läs mer...