Annons

Teknikspecial


Gunnar Lilliesköld

Bristande tillförlitlighet med blyfritt

Swerea IVF har i två seminarier pekat ut hur blyfri lödning och tillämpning av traditionella standarder kan öka riskerna i fordon och i andra krävande applikationer. Brott i lödfogar och laminat kan ge testresultat som döljer allvarliga fel vilka påverkar tillförlitligheten.
Läs vidare
Fler specialartiklar
 
 
 
Produktdatabasen_Vänsterknapp2_141103
eeTimes europe

RSS

 
Gemensamt forskningslabb för programvara Utskrift E-post
Skrivet av Jonas Karlsson   
2012-04-24
SICS och Ericsson meddelar att de startar en gemensam och långsiktig satsning på programvaruforskning i Kista. I det nya labbet ska forskarna utveckla avancerad programvaruteknik för telekomsystem som leder till högre kapacitet, driftsäkerhet och energieffektivitet samt lägre utvecklingskostnader.

Forskarna från Swedish Institute of Computer Science, SICS, och Ericsson kommer att ta fram prototyper för trådlösa kommunikationssystem under tidsramen 2015-2020.

Idag är programvaruutveckling den överlägset största delen av Ericssons forsknings- och utvecklingsverksamhet. Samarbetet har det dubbla syftet att förse Ericsson med topptalanger för att möta konkurrensen samtidigt som SICS får pröva sin forskning mot verkliga problem.

Ericsson Radio och SICS har redan haft ett framgångsrikt samarbete under många år, men väljer nu att formalisera det genom det nya labbet för att dra bättre nytta av SICS expertis. Labbets fokus är realtids multicoresystem för 4G LTE-lösningar och framtidens trådlösa uppkopplade samhälle.

─ SICS är ett internationellt erkänt forskningsinstitut, säger Ulf Wahlberg, Vice President för Industry and Research Relations på Ericsson. Ett närmare samarbete med SICS stärker Ericsson som programvaruföretag och är en värdefull kanal för att rekrytera de bästa talangerna inom området.

─ Samarbetet bidrar till att etablera Sverige som ett centrum för programvara för trådlös kommunikation. Vi har en unik möjlighet att kombinera det bästa av två världar, säger Sverker Janson, chef för Computer Systems Laboratory på SICS i ett pressmeddelande.
Kommentarer (0)Add Comment

Skriv kommentar

busy
 
< Föregående   Nästa >
 
 
 
 
 
SE_Insethel3_140411
 
 

Specialartikel

Si möter konkurrens från både SiC och GaN
Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.
Image

Läs mer...
 
Brett bandgap på bred front
Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.
Läs mer...
 
Trench-MOSFET i SiC från Infineon
Infineons satsningar på halvledare i brett bandgap har resulterat i en trench-MOSFET. På gång är även transistorer i GaN. Om detta berättade Fanny Björk och Herbert Pairitsch, båda från Infineon, på årets ISICPEAW.
Läs mer...
 
Test- och produktionskostnader möts
Successivt minskade tillverkningskostnader gör att dessa närmar sig kostnaderna för test, eller till och med understiger dessa, förutsatt att man inte tänker i nya banor. Det är en av många trender som National Instrument ser. Läs här mer om vad deras årliga ”NI trend watch” tar upp.
Image
Läs mer...