Fjärde generationens GaN på kisel

MACOM lanserar en ny generation GaN på kisel som enligt företaget ger prestanda mycket nära GaN på kiselkarbid. Samtidigt är produktionskostnaden lägre än för LDMOS.

Enligt MACOM klarar den nya processgenerationen bättre än 70 procent verkningsgrad och 19 dB förstärkning för signaler modulerade upp till 2,7 GHz. Det är i klass med GaN på SiC och betydligt bättre än LDMOS. Effekttätheten är ca 4 gånger högre än för LDMOS.
– Fjärde generationens GaN på kisel gör det möjligt för galliumarsenid att konkurrera inom kommersiella volymprodukter, säger John Croteau, President och CEO för MACOM. Vår IP-portfölj och våra licensavtal lägger grunden för en kostnadseffektiv infrastruktur för GaN i helt nya volymer.

Comments are closed.