60 A med GaN

Från GaN Systems Inc kommer en 650 V E-HEMT-transistor tillverkad i GaN på kisel som klarar hela 60 A.

 

Transistorn är bland annat avsedd för kraftaggregat och batteriladdare med hög arbetsfrekvens och hög verkningsgrad. I och med att tekniken är kiselbaserad ligger priset lågt nog också för högvolymprodukter.
– GaN är något som händer just nu, säger Girvan Patterson, vd för GaN Systems. Sedan vi lanserade våra komponenter kommersiellt förra året har vi sett hundratals företag satsa på GaN för att dra nytta av de tekniska fördelarna. De stora spelarna inser också att GaN är en verklig "game-changer".
De nya transistorerna är kapslade i termiskt effektiva GaNXP-kapslar som är 9,0 mm x 7,6 mm x 0,45 mm stora.

Comments are closed.