Annons

Högeffektiv SiC-modul från ROHM

Från ROHM kommer en SiC-modul, framför allt för solenergisystem och industrisystem. Modulen klarar 1200 V och 300 A och har 77 procent lägre omvandlingsförluster än konventionella IGBT-moduler.

 

BSM300D12P2E001 är en H-brygga med en SBD och en MOSFET, bägge i kiselkarbid. Modulen har samma kapselstorlek som vanliga IGBT-moduler och klarar temperaturer upp till 175 °C.
Strömtåligheten på 300 A gör SiC-modulen lämpad för industritillämpningar med hög effekt. Den låga omvandlingsförlusten gör att modulen kan användas vid höga switchfrekvenser, vilket resulterar i mindre periferikomponenter och enklare kylning.

Comments are closed.