Annons

Chase och GHz Centrum går vidare

GHz Centrum och ChaseOn är två kompetenscentra som Vinnova beviljar finansiering till under kommande fem år. Med anledning av förlängningen av dessa centra – de två högst rankade i Vinnovas VINN Excellence-program 2007 – 2016 – arrangerade Chalmers en konferensdag som gav rader av exempel på lyckade erfarenheter från GHz Centrum och ChaseON. Jan Grahn, […]

Galileo ger exaktare position

I november i år förväntas Galileo nå Initial Service (IS), dvs systemet är klart att användas för positionering med begränsad prestanda. Galileo är ett satellitbaserat positioneringssystem som utvecklats på uppdrag av EU.

Smartare Elektroniksystem har vind i seglen

Årets sammankomst ”Summit” blev en hyllning till Vinnovastödda FOI-projekt som skall stärka den svenska elektronikindustrin. Kring 130 personer kunde på Tekniska Museet ta del av ett flertal lovande projekt med stor industriell potential. Den Vinnova-stödda forsknings- och innovationsagendan ”Smartare Elektroniksystem formades under 2013 inom ramen för Vinnovas, Energimyndighetens och Formas utlysning ”Strategiska forsknings- och innovationsagendor”. […]

Radiokommunikation med hjälp av plasmabomber

Det amerikanska flygvapnet planerar att detonera plasmabomber i den övre atmosfären med hjälp av en flotta av mikrosatelliter. Den jonisation som uppstår skapar en reflektor för radiosignaler på höga frekvenser.

Si möter konkurrens från både SiC och GaN

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.

Brett bandgap på bred front

Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.

Trench-MOSFET i SiC från Infineon

Infineons satsningar på halvledare i brett bandgap har resulterat i en trench-MOSFET. På gång är även transistorer i GaN. Om detta berättade Fanny Björk och Herbert Pairitsch, båda från Infineon, på årets ISICPEAW.

Test- och produktionskostnader möts

Successivt minskade tillverkningskostnader gör att dessa närmar sig kostnaderna för test, eller till och med understiger dessa, förutsatt att man inte tänker i nya banor. Det är en av många trender som National Instrument ser. Läs här mer om vad deras årliga ”NI trend watch” tar upp.

Forskarträff pekar ut framtidens nanoelektronik

IEDM, årets ledande forskarkonferens inom mikro/nanoteknik, speglade senaste framsteg i att åstadkomma små transistorer, nya minnestyper, alternativa material till kisel och en blandning av halvledarmaterial samt forskning inom specialområden alltifrån kiselfotonik, och böjbara kretsar till interaktion med nervceller.

USA Japan och Kina storsatsar på kiselkarbid

Årets stora kiselkarbidkonferens med inriktning på krafthalvledare, ISiCPEAW, gav en bild av utvecklingen i världen. USA och Japan, liksom Kina, satsar nu stort på halvledarteknik i material med brett bandgap. I Sverige och EU saknas för närvarande långsiktiga strategiska program på området!Waferstorleken går från 4 till 6 tum. Bilden nedan visar världens första 8 tums […]