Annons

GaN HEMT ger 650 W på radarband L

Macom MAGX-001214-650L00 är en HEMT-transistor för radarapplikationer inom frekvensbandet 1,2 – 1,4 GHz.

Transistorn, som är byggd i galliumnitrid (GaN) på kiselkarbidsubstrat (SiC) kan ge hela 650 W uteffekt (pulsad uteffekt, 300 µs och 10 procents duty cycle) med typiskt 19,5 dB förstärkning och 60 procents verkningsgrad.
Dess höga genombrottspänning möjliggör 50 V matningsspänning och extrem missanpassning, men ändå utlovas hög tillförlitlighet. Macom anger en MTBF på 5,3×106 timmar.
Två transistorer kan kombineras för att ge över 1000 W toppeffekt för nästa generations radarsystem i L-bandet.

 

Comments are closed.